所以在高峰时期，中国一个月能看到十几场家电产品的发布会，阵势比起手机有过之而无不及，当然，这里面也有互联网电视的一份功劳。
由于H在铝合金中的溶解度低，电科且在相关尺度和特定的微观结构特征下难以进行空间解析表征，因此对H在铝合金中的分布进行实验验证具有挑战性。院牵项之前有研究指出GB在环境退化中的关键作用。
高温热处理过程中，头申以及在使用中金属中都可能发生H吸收。背景颜色b、报的标准d分别表示色散体和S相的位置。d.晶界，负荷析出物，析出区以及第二相的微观结构形貌。
要克服氢脆的限制，管理国就需要精确理解H如何穿透材料，以及它与普遍存在的微观结构特征(例如晶界(GB)或第二相)的相互作用。领域立项e.在GB富(Mg,Zn)析出相的成分分布图。
获批a.无H和H元素掺杂样品在120℃/24h时效后的工程应力-应变曲线。
c.b–d中H的不同填隙位，中国比较了在GB处有无溶质原子Mg时的脆化能和偏析能(图条)。电科相关论文以Hydrogentrappingandembrittlementinhigh-strengthAlalloys为题发表在国际顶级期刊Nature上。
硕士毕业于重庆大学，院牵项博士博毕业于亚琛工业大学的赵欢博士为一作，同时兼任通讯作者，另外两个通讯作者分别为BaptisteGault和DierkRaabe。裂纹一般是优先电化学攻击的位置，头申同时裂纹也更容易通过GB网络在整个合金组织中传播。
但是H在第二相粒子附近强烈的偏析会将固溶H从基体中去除，报的标准从而防止H脆断。本文的研究进一步推进了对铝合金中H辅助脆化机理的理解，负荷强调了H陷阱在减少开裂和指导新合金设计方面的作用。